MOCVD金屬有機物化學(xué)氣相淀(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,簡稱 MOCVD)，1968年由美國洛克威爾公司提出來的一項制備化合物半導(dǎo)體單品薄膜的新技術(shù)。該設(shè)備集精密機械、半導(dǎo)體材料、真空電子、流體力學(xué)、光學(xué)、化學(xué)、電腦多學(xué)科為一體，是一種自動化程度高、價格昂貴、技術(shù)集成度高的尖端光電子專用設(shè)備，主要用于GaN(氮化鎵)系半導(dǎo)體材料的外延生長和藍(lán)色、綠色或紫外發(fā)光二極體芯片的制造，也是光電子行業(yè)最有發(fā)展前途的專用設(shè)備之一。 LED芯片產(chǎn)生前的LED外延片生長的基本原理是:在一塊加熱至適當(dāng)溫度的襯底基片(主要有藍(lán)寶石和、SiC、Si)上，氣態(tài)物質(zhì)InGaAlP有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長技術(shù)主要采用有機金屬化學(xué)氣相沉積(MOCVD)方法。 外延片技術(shù)的成功需要具備以下三個條件: 1.對設(shè)備的掌握。MOVCD由于各項成本很高，保養(yǎng)周期以及配件的準(zhǔn)備充分都很重要。 2.外延原理的掌握，材料的成長需要具備物理、材料學(xué)和分析技術(shù)三項基本功夫，能掌握這些，材料的生長就可具備一定的能力。 3.持之以恒的實驗精神，外延結(jié)果需要恒心的等待，因為除了基本的分析外，結(jié)果的觀察與紀(jì)錄，做成LED芯片結(jié)果的分析，都需要耐心與恒心。 LED芯片的生產(chǎn)過程LED外延片的生產(chǎn)制作過程比較復(fù)雜: 1.展完外延片后在每張外延片隨意抽取九點做測試。符合要求的為良品，其他為不良品(電壓偏差很大，波長偏短或偏長等)。 2.良品的外延片要做電極(P極，N極)。接下來就用鐳射切割外延片，然后100%分撿，根據(jù)不同的電壓，波長，亮度進(jìn)行全自動化分檢，形成LED芯片(方片)。 3.最后還要進(jìn)行目測，把有缺陷或者電極有磨損的分撿出來，這些就是后面的散晶。此時在藍(lán)膜上有不符合出貨要求的芯片，這些就成了邊片或毛片等。不良品的外延片，一般不用來做方片，就直接做電極(P極，N極)，也不用做分檢，這些就是目前市場上的LED大圓片。